MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9T1G08U0M-PIB0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT29F1G08ABAEAWP-IT:E بذریعہ Micron Technology اور K9T1G08U0M-PIB0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9T1G08U0M-PIB0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | NRND |
| میموری سائز | 1 Gbit (128 MB) | — |
| تنظیم | 128M x 8 | 128M x 8 bit |
| انٹرفیس | Parallel | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus |
| سپلائی وولٹیج | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 2 Kbytes + 64 bytes spare area |
| Block Size | 128 KB | 128 Kbytes (64 pages per block) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | [DATA_NEEDED: data retention spec] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] |
| پیکیج | TSOP-48 | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (TSOP) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| میموری ٹائپ | — | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Cell Technology | — | SLC (Single-Level Cell) |
| VCC Supply Voltage | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Pb-Free (Lead-Free) | — | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free variant) |
| Endurance (P/E Cycles) | — | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] |
| Programming Time per Page | — | [DATA_NEEDED: typical tPROG] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: typical tBERS] |
| Command Set | — | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) |