MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9T1G08U0M-PIB0 So sánh
So sánh chi tiết song song của MT29F1G08ABAEAWP-IT:E bằng Micron Technology và K9T1G08U0M-PIB0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9T1G08U0M-PIB0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | NRND |
| Kích thước bộ nhớ | 1 Gbit (128 MB) | — |
| Tổ chức | 128M x 8 | 128M x 8 bit |
| Giao diện | Parallel | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus |
| Điện áp cung cấp | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 2 Kbytes + 64 bytes spare area |
| Block Size | 128 KB | 128 Kbytes (64 pages per block) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | [DATA_NEEDED: data retention spec] |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] |
| Hộp | TSOP-48 | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (TSOP) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Kiểu bộ nhớ | — | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Cell Technology | — | SLC (Single-Level Cell) |
| VCC Supply Voltage | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Pb-Free (Lead-Free) | — | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free variant) |
| Endurance (P/E Cycles) | — | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] |
| Programming Time per Page | — | [DATA_NEEDED: typical tPROG] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: typical tBERS] |
| Command Set | — | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) |