MT40A1G8SA-075:E vs MT40A1G8SA-062E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8SA-075:E بذریعہ Micron Technology اور MT40A1G8SA-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A1G8SA-075:E | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8Gbit (1G x 8) | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.6 GHz |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| پیکیج | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |