MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5CC256M16DP-DI موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-07EAIT:B بذریعہ Micron Technology اور NT5CC256M16DP-DI بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ فعال
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A512M16JY-07EAIT:B NT5CC256M16DP-DI
برانڈ Micron Technology Nanya Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
ڈیٹا ریٹ 2666 MT/s 1600 Mbps/pin (800MHz)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
انٹرفیس Parallel Differential clock (CK, CK#)
پیکیج 96-FBGA (8x14) VFBGA-96
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +105°C (AIT grade) -40°C to +95°C (industrial)
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Density — 4Gb
سپلائی وولٹیج — 1.35V
CAS لیٹنسی — 11, 12, 13 (programmable)
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Number of Banks — 8
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں