MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5CC256M16DP-DI So sánh
So sánh chi tiết song song của MT40A512M16JY-07EAIT:B bằng Micron Technology và NT5CC256M16DP-DI bằng Nanya Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Nanya Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 MT/s | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Giao diện | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Hộp | 96-FBGA (8x14) | VFBGA-96 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40°C to +105°C (AIT grade) | -40°C to +95°C (industrial) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35V |
| Latency CAS | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |