MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WF-BITD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M8RH-075E:B بذریعہ Micron Technology اور K4A4G085WF-BITD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| ریفرنس وولٹیج | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| پیکیج | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | -40C to +95C |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| CAS لیٹنسی | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| انٹرفیس | — | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |