MT41K128M16JT-125:K vs K4B4G1646E-BYK000 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K128M16JT-125:K بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646E-BYK000 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K128M16JT-125:K | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Memory Capacity | 2 Gbit | — |
| تنظیم | 128M x 16 | 256M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz (1600 MT/s data rate) | 800 MHz |
| Access Time (Clock Cycle) | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| خصوصیات | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Access Time | — | 1.25 ns |