RTAX2000D-CQ352E vs RTAX2000DL-CQ352B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از RTAX2000D-CQ352E بذریعہ Microchip Technology اور RTAX2000DL-CQ352B بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Microchip Technology
RTAX2000D-CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP-352 | Microchip
RTAX2000D-CQ352E ✓ فعالMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | RTAX2000D-CQ352E | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| برانڈ | Microchip Technology | Microchip Technology |
| زمرہ | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Family | RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs | — |
| Equivalent System Gates | 2000000 gates | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29568 cells | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| CLB Organization | 19712 CLBs | — |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | 649 MHz | — |
| Number of Inputs | 166 | — |
| آؤٹ پٹس کی تعداد | 166 | — |
| Technology | Digital CMOS, antifuse programmable | — |
| پیکیج | CQFP-352 (352-terminal ceramic quad flat pack) | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Screening | MIL-STD-883 Class (per distributor data) | — |
| Program Type | One-time programmable (antifuse) | — |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| System Features | Segmentable clocks, chip-wide highway routing, carry logic | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| سپلائی وولٹیج | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| Radiation Tolerance (TID) | [DATA_NEEDED: total ionizing dose rating] | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| CLBs | — | 19,712 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Programming Technology | — | Nonvolatile antifuse |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Core Supply Voltage (Nominal) | — | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | — | 1.425 V to 1.575 V |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| Configuration | — | Live at power-up, no external boot PROM required |
| Application Domain | — | Space flight systems |