A3PE3000-1FGG896 vs A3PE3000L-1FGG896 So sánh
So sánh chi tiết song song của A3PE3000-1FGG896 bằng Microchip Technology và A3PE3000L-1FGG896 bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
A3PE3000-1FGG896 - ProASIC3E Flash FPGA 3M Gates 620 I/O | Microchip
A3PE3000-1FGG896 ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
A3PE3000L-1FGG896 - 3M-Gate ProASIC3L Flash FPGA | Microchip
A3PE3000L-1FGG896 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | A3PE3000-1FGG896 | A3PE3000L-1FGG896 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | ProASIC3E (Flash FPGA) | ProASIC3L |
| System Gates | 3,000,000 | 3000000 |
| Logic Cells | 75,264 | 75264 |
| User I/O | 620 | 620 |
| Speed Grade | -1 | -1 |
| Hộp | 896-ball FBGA (FGG896) | 896-ball FBGA (FGG896), 1.00 mm pitch |
| Technology | Nonvolatile flash, CMOS | — |
| Configuration | Single-chip, Instant On (on-chip flash) | — |
| Reprogrammability | Yes (in-system reprogrammable flash fabric) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Core Voltage | [DATA_NEEDED: core voltage] | 1.2 V (supports 1.2 V to 1.5 V) |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Embedded Memory | [DATA_NEEDED: embedded block RAM capacity] | — |
| Lead Free | Yes (LEAD FREE per distributor listing) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Country of Origin | South Korea (per MicrochipDirect for A3PE3000-1FG896 family variant) | — |
| Total Bits of RAM | — | [DATA_NEEDED: Total embedded RAM bits] |
| I/O Voltage | — | As low as 1.2 V |
| Process Technology | — | 130 nm flash |
| Configuration Memory | — | Nonvolatile flash (single-chip) |
| Special Features | — | Flash*Freeze technology |
| Packaging | — | Tray |
| Terminal Pitch | — | 1.00 mm |
| Technology Base | — | CMOS flash |
| Dynamic Power Reduction vs ProASIC3 | — | Approx. 40% |
| Static Power Reduction vs ProASIC3 | — | Approx. 50% |