BSC005N03LS5IATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC005N03LS5IATMA1 bằng Infineon và IAUCN08S7L033ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC005N03LS5IATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC005N03LS5IATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 433 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) at VGS = 10 mA —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 188 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Trạng thái RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Series — Automotive OptiMOS 7
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá