BSC009NE2LS5IATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC009NE2LS5IATMA1 bằng Infineon và IQE012N03LM5CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC009NE2LS5IATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Part Number BSC009NE2LS5IATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 5 (25V/30V family) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Configuration Single with built-in diode —
Drain-Source Voltage (V_DS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max 20 V —
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ 1.7 V (range 1.0-2.0 V) —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.95 mΩ —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C 40 A —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C 217 A (pulsed, datasheet rating) —
Power Dissipation (P_D) @ T_A 2.5 W —
Power Dissipation (P_D) @ T_C 74 W —
Total Gate Charge (Q_G) typ 23 nC @ V_GS=0-4.5V —
Input Capacitance (C_iss) typ 3200 pF —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C —
Hộp PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (e3 per JESD-609) —
Number of Terminals 8 —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc — 224 A
Maximum RDS(on) @ VGS=10V — 1.15 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ, per Merlin listing)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá