BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC027N06LS5ATMA1 bằng Infineon và BSC146N10LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC027N06LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (logic-level)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level Logic-level (typ. ~1.7 V)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C -55 C to +150 C (TJ max)
Hộp / Vỏ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 44 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 14.6 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Hộp — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá