BSC050N04LSGATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon và BSC019N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC019N06NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC050N04LSGATMA1 BSC019N06NSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) —
Hộp PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá