BSC050N04LSGATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon và BSC0901NSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC050N04LSGATMA1 BSC0901NSIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Hộp PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55 C to +150 C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Số chân — 8
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá