BSC050N04LSGATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC050N04LSGATMA1 توسط Infineon و BSC0901NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC050N04LSGATMA1 | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | 18 A | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | 85 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 57 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench MOSFET) | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse avalanche) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| تعداد پایه | — | 8 |
| بدون هالوژن | — | Yes |