BSC054N04NSGATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC054N04NSGATMA1 bằng Infineon và BSC018N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC054N04NSGATMA1 | BSC018N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55°C to +150°C (TJ) |
| Hộp | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | — | 2.5 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| JEDEC Qualification | — | Yes (qualified per JEDEC for target applications) |