BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC060N10NS3GATMA1 bằng Infineon và BSC117N08NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC060N10NS3GATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 125 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 3.5 V —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +150 C —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS 5
Hộp PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen [DATA_NEEDED: halogen status] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Số chân — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá