BSF134N10NJ3GXUMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSF134N10NJ3GXUMA1 bằng Infineon và BSC014NE2LSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSF134N10NJ3GXUMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
Hộp MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology Trench-gate OptiMOS planar N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá