BSS214NH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS214NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS123NH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS214NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) —
Hộp SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23 (SOT-23-3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (automotive)
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá