BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS214NWH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP125H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon
BSP125H6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS214NWH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Hộp | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive / Industrial grade |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Cấp MSL | — | 1 (Unlimited) |