BSS316NH6327XTSA1 vs IPT007N06NATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS316NH6327XTSA1 bằng Infineon và IPT007N06NATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSS316NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS316NH6327XTSA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS 2 (Trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V at ID=3.7 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 600 pC at VGS=5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 94 pF at VDS=15 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free (Matte Tin) | — |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |