BSZ070N08LS5ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ070N08LS5ATMA1 bằng Infineon và IAUZ40N08S5N100ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ070N08LS5ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +150 °C —
Hộp PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
Technology — OptiMOS-5 N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 40 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 68 W
On-Resistance RDS(on) max — 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg typ — 24.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 1591 pF @ VDS=40 V
Gate-Source Voltage VGS max — ±20 V
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Channel Type — N-Channel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá