CM600DY-24T vs CM600DY-24T330G So sánh

So sánh chi tiết song song của CM600DY-24T bằng Mitsubishi Electric và CM600DY-24T330G bằng Mitsubishi Electric. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Mitsubishi Electric
CM600DY-24T CM600DY-24T - 1200V 600A Dual IGBT Module | Mitsubishi Electric

CM600DY-24T - 1200V 600A Dual IGBT Module | Mitsubishi Electric

CM600DY-24T ✓ Hoạt động
Mitsubishi Electric
CM600DY-24T330G CM600DY-24T330G - 1200V 600A Dual IGBT Module | Mitsubishi

CM600DY-24T330G - 1200V 600A Dual IGBT Module | Mitsubishi

CM600DY-24T330G ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số CM600DY-24T CM600DY-24T330G
Thương hiệu Mitsubishi Electric Mitsubishi Electric
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Configuration Dual (Half-Bridge) Dual (Half-Bridge)
Collector-Emitter Voltage (VCES) 1200 V 1200 V
Continuous Collector Current (IC) 600 A 600 A
Series T-Series Standard Type T-Series, 7th Generation Standard Type
Total Power Dissipation (Pc) [DATA_NEEDED: total power dissipation] —
Saturation Voltage (VCE(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat)] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) [DATA_NEEDED: VGES] [DATA_NEEDED: VGES]
Junction Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: maximum junction temperature] —
Thermal Resistance (Rth(j-c)) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Isolation Voltage (Visol) [DATA_NEEDED: isolation voltage] —
Package Type Insulated chassis-mount module Insulated chassis-mount power module
Kiểu lắp đặt Chassis Mount (screw terminals) Chassis Mount (screw-terminal)
Freewheeling Diode Integrated (dual configuration) —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
TIM Option CM600DY-24T#330G variant with PC-TIM pre-applied —
IGBT Technology — CSTBT (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor)
Diode Technology — RFC diode
Thermal Interface — PC-TIM pre-applied (-330G suffix)
Package Technology — Thick Metal Substrate (TMS)
Isolation — Insulated type baseplate
Intended Use — High power switching use
Total Power Dissipation — [DATA_NEEDED: total power dissipation]
N Nap-Emit (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat)]
Thermal Resistance (Junction to Case) — [DATA_NEEDED: Rth(j-c)]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá