EPF10K200EBI600-2 vs EPF10K250EBI600-3 So sánh
So sánh chi tiết song song của EPF10K200EBI600-2 bằng Intel và EPF10K250EBI600-3 bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Intel
EPF10K200EBI600-2 - FLEX 10KE FPGA 200K Gates 9984 LEs BGA-600 | Intel
EPF10K200EBI600-2 ObsoleteIntel
EPF10K250EBI600-3 - 250K Gates FLEX 10KE FPGA, 600-BGA | Intel
EPF10K250EBI600-3 ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EPF10K200EBI600-2 | EPF10K250EBI600-3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Intel | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Obsolete | Lần mua cuối |
| Family | FLEX 10KE | FLEX 10KE |
| System Gates | 200,000 | — |
| Logic Elements (LEs) | 9,984 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 1,248 | — |
| Embedded RAM | 98,304 bits | — |
| Embedded Array Blocks (EABs) | 12 (typical for this density) | — |
| User I/O Pins | 470 | — |
| Supply Voltage (VCCINT) | 2.5 V | — |
| Propagation Delay | 0.4 ns (per -2 speed grade) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 C to 70 C (commercial) | Industrial, 0C to +85C [DATA_NEEDED: confirm -40C to +85C range] |
| Hộp | BGA-600, 45 x 45 mm, 1.27 mm pitch | 600-ball BGA (HBGA) |
| Logic Family | CMOS, SRAM-based | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Configuration Method | JTAG / ByteBlaster (SRAM configuration) | SRAM, requires external configuration device (EPC series) |
| Trạng thái RoHS | Compliant (lead-free package) | Not specified (SnPb / tin-lead finish per legacy distributor listing) |
| Logic Elements | — | 12,160 |
| Typical Gate Count | — | 250,000 system gates |
| Embedded System Blocks (ESBs) | — | 12 |
| Maximum User I/O | — | 470 |
| Dedicated Inputs | — | 4 |
| PLLs | — | 4 |
| On-chip RAM | — | Up to 40 Kbits |
| Ball Pitch | — | 1.93 mm |
| Core Voltage | — | 2.3 V (FLEX 10KE standard) [DATA_NEEDED: confirm exact VCCINT] |
| Speed Grade | — | -3 (fastest) |
| Process Technology | — | 0.22 µm CMOS, 4-layer metal |
| Lead-free | — | no (legacy tin-lead per distributor description) |