H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G6NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G6NBJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-UHC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) 1.14 V to 1.26 V
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Giao diện Parallel —
Technology CMOS CMOS
Nhiệt độ hoạt động -40C to +95C -40C to +95C
Hộp FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) FBGA-96 (PBGA-96)
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Packaging Tray —
Tổ chức — 256M x 16
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá