H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG4NBJR-RDC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5ANAG6NBJR-RDC bằng SK hynix và H5ANAG4NBJR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG4NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2 GB) |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Giao diện | Synchronous, double data rate | SSTL-12 |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Hộp | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | 78-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) |
| Tổ chức | — | 4G x 4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Prefetch | — | 16n (bank group architecture) |
| Tính năng | — | Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode |
| Refresh | — | Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] |
| Operating Temperature (case) | — | -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) |
| Temperature Grade Suffix | — | RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| Product Family | — | SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series |