IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUC100N04S6L014ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUC28N08S5L230ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6L014ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET OptiMOS 6
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Part Family — IAUC / OptiMOS 6 40V
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G typical]
Power Dissipation (P_D, Tc) — 100 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá