IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN04S7N019DATMA1 bằng Infineon và IAUCN04S7L042GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN04S7N019DATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 7 40V | Trench N-Channel MOSFET |
| Configuration | Dual N-Channel (array) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 160 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Input Capacitance (Ciss, typ.) | 1.465 nF | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family) | — |
| ESD Protection | Yes (gate integrated) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 40V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C (Tj) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |