IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB021N10NM5LF2ATMA1 bằng Infineon và IPD50N04S408ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon
IPD50N04S408ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB021N10NM5LF2ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 Linear FET 2 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 176 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | 30 A | — |
| R_DS(on) Maximum | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 375 W | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | 3.8 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | 10 V, 15 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche tested |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |