IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPC100N04S51R7ATMA1 bằng Infineon và IPC100N04S5L1R5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPC100N04S51R7ATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-5 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 100 A (at TC) | — |
| Pulsed Drain Current IDM | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation PD | 115 W (at TC) | — |
| Thermal Resistance RthJC | 1.3 K/W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | Yes |
| Avalanche Tested | 100% tested | 100% |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |