IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPC90N04S5L3R3ATMA1 bằng Infineon và IAUC60N06S5L073ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPC90N04S5L3R3ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.7 V to 2.7 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (TC=25°C) | 62 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temp range] | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Moisture Sensitivity | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive qualified | AEC-Q101 automotive grade |
| Avalanche Tested | 100% (production-level) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5) |
| Số lượng chân | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |