IPD50N03S4L06ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD50N03S4L06ATMA1 bằng Infineon và IPD50N04S408ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon
IPD50N04S408ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD50N03S4L06ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 50 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on) max) | 5.5 mOhm at V_GS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | 2.2 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 31 nC at V_GS = 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 2.33 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 600 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 34 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 56 W at Tc = 25 C | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Package) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche tested |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |