IPP120N08S403AKSA1 vs IRFB3306PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPP120N08S403AKSA1 bằng Infineon và IRFB3306PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS
IPP120N08S403AKSA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPP120N08S403AKSA1 | IRFB3306PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (bondwire-limited) | 245 A at 25 C | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 278 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 167 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 11550 pF | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.54 K/W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C |
| Hộp | TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Cấp MSL | MSL1 (peak reflow up to 260 C) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100% avalanche-tested | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Technology Family | OptiMOS | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | IR HEXFET (MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 4.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) typ | — | 26 nC (nominal) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 230 W |
| RoHS / Lead-Free (PbF) | — | Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Intrinsic (avalanche-rated) |