IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 bằng Infineon và IQEH54NE2LM7UCGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Hộp | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-3 |
| Số chân | 9 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 52 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 406 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (typical MOSFET range) |