IQE008N03LM5ATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IQE008N03LM5ATMA1 bằng Infineon và BSC027N06LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IQE008N03LM5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) Logic-level
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
Hộp PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55°C to +150°C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down MOSFET (Metal Oxide)
Trạng thái RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS™ 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
Hộp / Vỏ — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Số chân — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá