IQE013N04LM6ATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IQE013N04LM6ATMA1 bằng Infineon và ISK057N04LM6ATSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon

IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon

IQE013N04LM6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IQE013N04LM6ATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 Trench
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 2.3 V (typ)
Hộp PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C -55C to +150C
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá