IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IQE220N15NM5ATMA1 bằng Infineon và IQE013N04LM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon

IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon

IQE013N04LM6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IQE220N15NM5ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
Cấu hình đầu ra Single N-Channel —
Hộp PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS N-channel trench MOSFET
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá