IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE220N15NM5ATMA1 מאת Infineon ו IQE013N04LM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IQE220N15NM5ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
תצורת מוצא Single N-Channel —
מארז PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS N-channel trench MOSFET
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר