IR2109SPBF vs IRS2106STRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IR2109SPBF bằng Infineon và IRS2106STRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IR2109SPBF IRS2106STRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Driver Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Thời gian tăng lên 200 ns —
Thời gian giảm dần 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40 C to +150 C —
Hộp SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm width)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Số lượng đầu ra — 2
Logic Type — Non-Inverting
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — Up to 25 V
Source Current (IO+) — 0.29 A (typical)
Sink Current (IO-) — 0.6 A (typical)
Turn-On Propagation Delay (ton) — 200 ns (typical)
Turn-Off Propagation Delay (toff) — 200 ns (typical)
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: fall time]
Deadtime — 50 ns (typical, internal matching)
Shutdown Input (SD) — Yes (active-low, single pin)
UVLO (VCC and VBS) — Yes
Nhiệt độ hoạt động — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Cấp MSL — 2

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá