IRF1010NPBF-VB vs IRFB4110PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF1010NPBF-VB bằng VBsemi Elec và IRFB4110PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF1010NPBF-VB | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | VBsemi Elec | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $1,55 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 55 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 85 A (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 180 W (Tc) | — |
| On-Resistance RDS(on) | 0.014 Ohm (14 mOhm) | — |
| Total Gate Charge Qg | 80 nC | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | +/-20 V | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Hộp | TO-220AB (Through Hole) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET | — |
| Process Technology | Planar HEXFET, Advanced Process Technology | — |
| Recommended Switching Frequency | Below 100 kHz | — |
| Market Qualification | Industrial | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant (Pb-free suffix) |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Technology | — | HEXFET (planar DMOS) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |