IRF1310NSTRLPBF vs IRF1310NPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF1310NSTRLPBF bằng Infineon và IRF1310NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF1310NSTRLPBF | IRF1310NPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Hộp | D2PAK (TO-263AB) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs value] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (PBF suffix) |