IRFR120NTRPBF vs IRFR1205TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR120NTRPBF bằng Infineon và IRFR1205TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR120NTRPBF IRFR1205TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Trạng thái RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá