ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC046N13NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC009N06LM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TDSON-8 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 348 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |
| Hộp | — | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |