ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC046N13NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 348 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |
| پیکیج | — | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |