ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC046N13NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC110N12NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TDSON-8 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.8 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | — | SuperSO8 (TDSON-8) |