K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB K4A8G085WB-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 1G x 8
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
Hộp 78-pin FBGA 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
Tốc độ dữ liệu [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2400 Mbps
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 85°C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá