K4RAH086VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCWM So sánh
So sánh chi tiết song song của K4RAH086VB-BIWM bằng Samsung Electronics và K4RAH165VB-BCWM bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung
K4RAH165VB-BCWM ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4RAH086VB-BIWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Tốc độ dữ liệu | 5600 Mbps per pin | — |
| Tổ chức | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | — |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Posted CAS | Yes | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: temperature range] | 0C to +85C |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Hộp | — | FBGA-106 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |