K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-GF70000 So sánh

So sánh chi tiết song song của K6X0808C1D-GF55T00 bằng Samsung Electro-Mechanics và K6X0808C1D-GF70000 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF70000
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Kích thước bộ nhớ 256 Kbit 256 Kbit
Tổ chức 32K x 8 32K x 8 bit
Access Time 55 ns 70 ns
Giao diện Parallel Parallel
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS Low Power CMOS
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Điện áp cung cấp [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
Data Retention Low data retention voltage supported —
Hộp 28-SOP (450 mil) 28-SOP
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage - Min — 4.5 V
Supply Voltage - Max — 5.5 V
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Bề rộng đường dữ liệu — 8 bit (tri-state I/O)
Control Signals — CE, OE, WE
Input/Output Levels — TTL compatible

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá