K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-GF70000 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K6X0808C1D-GF55T00 توسط Samsung Electro-Mechanics و K6X0808C1D-GF70000 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ فعالSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K6X0808C1D-GF55T00 | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| اندازه حافظه | 256 Kbit | 256 Kbit |
| سازمان | 32K x 8 | 32K x 8 bit |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Technology | CMOS | Low Power CMOS |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Data Retention | Low data retention voltage supported | — |
| بسته‌بندی | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Variant | Tape & Reel (T00 suffix) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| عرض گذرگاه داده | — | 8 bit (tri-state I/O) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |