K9EUGY8S0M-CCK0 vs K9CHGY8S5C-CCK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của K9EUGY8S0M-CCK0 bằng Samsung Electronics và K9CHGY8S5C-CCK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9EUGY8S0M-CCK0 K9EUGY8S0M-CCK0 - 256Gb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9EUGY8S0M-CCK0 - 256Gb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9EUGY8S0M-CCK0 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K9CHGY8S5C-CCK0 K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung

K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung

K9CHGY8S5C-CCK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9EUGY8S0M-CCK0 K9CHGY8S5C-CCK0
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D TLC V-NAND Flash Memory NAND Flash Memory
Density [DATA_NEEDED: total device density in Gb] [DATA_NEEDED: total density in Gb]
Cell Type TLC (3 bits per cell) —
V-NAND Layers [DATA_NEEDED: layer count] —
Giao diện [DATA_NEEDED: interface type, e.g. Toggle DDR] —
Supply Voltage VCC [DATA_NEEDED: VCC core supply voltage] —
Supply Voltage VCCQ [DATA_NEEDED: VCCQ I/O supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Package Type [DATA_NEEDED: FBGA ball count and dimensions] —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Grade Suffix CCK0 (standard commercial grade) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA reflow)
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Hộp — BGA-316
Tổ chức — x8 (8-bit data access), quad CE configuration
Chip Enable Count — 16 (CE_n)
Pin Reduction — Not used
Supply Rail VCC — 1.83 V
Supply Rail (secondary) — 1.84 V
Supply Rail VCCQ-class — 2.96 V
Program/Erase Supply Rail — 12 V domain
Memory Technology — [DATA_NEEDED: cell type / V-NAND generation]
Loại giao diện — [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI, max data rate]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá